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UPD4217802G5M

更新时间: 2024-11-05 14:38:43
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日电电子 - NEC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
2页 73K
描述
Static Column DRAM, 2MX8, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28

UPD4217802G5M 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:STATIC COLUMN
其他特性:CAS BEFORE RASJESD-30 代码:R-PDSO-G28
长度:18.41 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:STATIC COLUMN DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
组织:2MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

UPD4217802G5M 数据手册

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