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UPD4217800LG5-A80

更新时间： 2024-11-04 22:35:19

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
22页	917K
描述
3.3 V OPERATION 16 M-BIT DYNAMIC RAM 2 M-WORD BY 8-BIT, FAST PAGE MODE

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UPD4217800LG5-A80 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
长度：	18.41 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...22

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPD4217800LG5-A80-7JD	ETC	获取价格	x8 Fast Page Mode DRAM
UPD4217800LG5M-A60	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28
UPD4217800LG5M-A70	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28
UPD4217800LG5M-A80	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 2MX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28
UPD4217800LLE-A50	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
UPD4217800LLE-A60	NEC	获取价格	3.3 V OPERATION 16 M-BIT DYNAMIC RAM 2 M-WORD BY 8-BIT, FAST PAGE MODE
UPD4217800LLE-A70	NEC	获取价格	3.3 V OPERATION 16 M-BIT DYNAMIC RAM 2 M-WORD BY 8-BIT, FAST PAGE MODE
UPD4217800LLE-A80	NEC	获取价格	3.3 V OPERATION 16 M-BIT DYNAMIC RAM 2 M-WORD BY 8-BIT, FAST PAGE MODE
UPD4217802G5	NEC	获取价格	Static Column DRAM, 2MX8, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
UPD4217802G5M	NEC	获取价格	Static Column DRAM, 2MX8, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28