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UPD4217800LE-70

更新时间： 2024-09-15 20:13:07

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
29页	285K
描述
Fast Page DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28

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UPD4217800LE-70 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-J28	长度：	18.67 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	座面最大高度：	3.7 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

UPD4217800LE-70 数据手册

DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

µPD42S17800, 4217800

16 M-BIT DYNAMIC RAM

2 M-WORD BY 8-BIT, FAST PAGE MODE

Description

The µPD42S17800, 4217800 are 2,097,152 words by 8 bits CMOS dynamic RAMs. The fast page mode capability

realize high speed access and low power consumption.

These differ in refresh cycle and the µPD42S17800 can execute CAS before RAS self refresh.

These are packaged in 28-pin plastic TSOP(II) and 28-pin plastic SOJ.

Features

•

2,097,152 words by 8 bits organization

• Single +5.0 V ± 10 % power supply

Fast page mode

Fast access and cycle time

Power consumption

Access time

R/W cycle time

(MIN.)

Fast page mode

cycle time (MIN.)

Part number

Active (MAX.)

(MAX.)

60 ns

70 ns

µPD42S17800-60, 4217800-60

µPD42S17800-70, 4217800-70

605 mW

110 ns

130 ns

40 ns

45 ns

550 mW

•

The µPD42S17800 can execute CAS before RAS self refresh

Power consumption at standby

(MAX.)

Part number

Refresh cycle

Refresh

CAS before RAS self refresh,

CAS before RAS refresh,

µPD42S17800

2,048 cycles/128 ms

1.4 mW

(CMOS level input)

RAS only refresh, Hidden refresh

µPD4217800

2,048 cycles/32 ms

CAS before RAS refresh,

RAS only refresh,

Hidden refresh

5.5 mW

(CMOS level input)

The inform ation in this docum ent is subject to change w ithout notice.

Document No. IC-3190.CU1

1995

12 3 4 5 6 7...29

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPD4217800LE-80	ETC	获取价格	x8 Fast Page Mode DRAM
UPD4217800LG5-A50-7JD	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
UPD4217800LG5-A60	NEC	获取价格	3.3 V OPERATION 16 M-BIT DYNAMIC RAM 2 M-WORD BY 8-BIT, FAST PAGE MODE
UPD4217800LG5-A60-7JD	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
UPD4217800LG5-A70	NEC	获取价格	3.3 V OPERATION 16 M-BIT DYNAMIC RAM 2 M-WORD BY 8-BIT, FAST PAGE MODE
UPD4217800LG5-A70-7JD	ETC	获取价格	x8 Fast Page Mode DRAM
UPD4217800LG5-A80	NEC	获取价格	3.3 V OPERATION 16 M-BIT DYNAMIC RAM 2 M-WORD BY 8-BIT, FAST PAGE MODE
UPD4217800LG5-A80	RENESAS	获取价格	2MX8 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
UPD4217800LG5-A80-7JD	ETC	获取价格	x8 Fast Page Mode DRAM
UPD4217800LG5M-A60	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28

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