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UPC8128TB-E3

更新时间： 2024-01-05 08:35:22
品牌 Logo 应用领域
CEL 射频微波
页数 文件大小 规格书
9页 68K
描述
Wide Band Low Power Amplifier, 100MHz Min, 1900MHz Max, SOT-363, 6 PIN

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UPC8128TB-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.12其他特性：HIGH RELIABILITY
特性阻抗：50 Ω构造：COMPONENT
增益：10 dB最大输入功率 (CW)：5 dBm
JESD-609代码：e6最大工作频率：1900 MHz
最小工作频率：100 MHz最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C射频/微波设备类型：WIDE BAND LOW POWER
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)Base Number Matches：1

UPC8128TB-E3 数据手册

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SILICON RFIC  
LOW CURRENT AMPLIFIER FOR  
UPC8128TB  
CELLULAR/CORDLESS TELEPHONES  
FEATURES  
GAIN vs.  
FREQUENCYand VOLTAGE  
+20  
+10  
0
•
•
•
•
•
•
•
SUPPLY VOLTAGE:  
Vcc = 2.4 to 3.3 V  
LOW CURRENT CONSUMPTION:  
Icc = 2.8 mA, TYP at 3.0 V  
V
CC = 3.3 V  
HIGH EFFICIENCY:  
P1dB = -4 dBm, TYP at f = 1 GHz  
V
CC = 3.0 V  
CC = 2.4 V  
POWER GAIN:  
GP = 12.5 dB, TYP at f = 1 GHz  
V
OPERATING FREQUENCY:  
100 MHz to 1900 MHz (Output port LC matching)  
-10  
0.3  
1.0  
3.0  
EXCELLENT ISOLATION:  
ISOL = 39 dB TYP at f = 1 GHz  
Frequency, f (GHz)  
GAIN vs. VOLTAGE and FREQUENCY  
HIGH DENSITY SURFACE MOUNTING:  
6 pin super minimold or SOT-363 package.  
+20  
DESCRIPTION  
V
CC = 3.3 V  
The UPC8128TB is a Silicon RFICs designed as a buffer  
amplifier for cellular or cordless telephones. This low current  
amplifier operates on 3.0 V and is housed in a 6 pin super  
minimold package.  
+10  
0
V
CC = 3.0 V  
CC = 2.4 V  
The IC is manufactured using NEC's 20GHz fT NESAT™ III  
silicon bipolar process. This process uses silicon nitride  
passivation film and gold electrodes. These materials protect  
thechipsurfacefromexternalpollutionandpreventcorrosion/  
migration. Thus, the IC has excellent performance, uniformity  
and reliability.  
V
-10  
0.3  
3.0  
1.0  
Frequency, f (GHz)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, VCC = VOUT = 3.0 V, ZL = ZS = 50 Ω, at LC matched frequency)  
UPC 8128TB  
SO6  
PART NUMBER  
PACKAGE OUTLINE  
SYMBOLS  
PARAMETERS AND CONDITIONS  
UNITS  
MIN  
TYP  
MAX  
Icc  
GP  
Circuit Current, No signal  
Power Gain  
mA  
dB  
1.8  
2.8  
3.8  
f = 1.00 GHz  
f = 1.90 GHz  
9.5  
10.0  
12.5  
13.0  
14.5  
15.0  
ISOL  
Isolation  
f = 1.00 GHz  
f = 1.90 GHz  
dB  
dBm  
dB  
34.0  
32.0  
39.0  
37.0  
–
–
Output Power  
at 1 dB Compression Point  
f = 1.00 GHz  
f = 1.90 GHz  
-7.5  
--8.5  
-4.0  
-4.0  
–
–
P1dB  
NF  
Noise Figure  
f = 1.00 GHz  
f = 1.90 GHz  
–
–
6.0  
6.0  
7.5  
7.5  
RLIN  
RLOUT  
IM3  
Input Return Loss  
(without matching circuit)  
f = 1.00 GHz  
f = 1.90 GHz  
dB  
2.0  
2.5  
5.0  
5.5  
–
–
Output Return Loss  
(with external matching circuit)  
f = 1.00 GHz  
f = 1.90 GHz  
dB  
10.0  
14.0  
3rd Order Intermodulation Distortion  
dBc  
f1 = 1.000 GHz, f2 = 1.001 GHz, P0(each) = -20 dBm  
f1 = 1.900 GHz, f2 = 1.901 GHz, P0(each) = -20 dBm  
-50.0  
-46.0  
California Eastern Laboratories  
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UPC8128TB-E3 替代型号

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