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Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波放大器> UPC8128TB-E3
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UPC8128TB-E3

更新时间： 2024-02-14 00:06:21
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 射频和微波射频放大器微波放大器无绳技术蜂窝电话
页数 文件大小 规格书
52页 277K
描述
SILICON MMIC LOW CURRENT AMPLIFIERS FOR CELLULAR/CORDLESS TELEPHONES

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UPC8128TB-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.12其他特性：HIGH RELIABILITY
特性阻抗：50 Ω构造：COMPONENT
增益：10 dB最大输入功率 (CW)：5 dBm
JESD-609代码：e6最大工作频率：1900 MHz
最小工作频率：100 MHz最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C射频/微波设备类型：WIDE BAND LOW POWER
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)Base Number Matches：1

UPC8128TB-E3 数据手册

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DATA SHEET  
BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUITS  
µPC8128TB, µPC8151TB, µPC8152TB  
SILICON MMIC LOW CURRENT AMPLIFIERS  
FOR CELLULAR/CORDLESS TELEPHONES  
DESCRIPTION  
The µPC8128TB, µPC8151TB and µPC8152TB are silicon monolithic integrated circuits designed as buffer  
amplifiers for cellular or cordless telephones. These amplifiers can realize low current consumption with external  
chip inductor (eg 1005 size) which can not be realized on internal 50 Ω wideband matched IC. These low current  
amplifiers operate on 3.0 V.  
These ICs are manufactured using NEC’s 20 GHz fT NESAT™ III silicon bipolar process. This process uses  
silicon nitride passivation film and gold electrodes. These materials can protect chip surface from external pollution  
and prevent corrosion/migration. Thus, these ICs have excellent performance, uniformity and reliability.  
FEATURES  
•
•
Supply voltage  
: VCC = 2.4 to 3.3 V  
: µPC8128TB  
µPC8151TB  
Low current consumption  
; ICC = 2.8 mA TYP. @VCC = 3.0 V  
; ICC = 4.2 mA TYP. @VCC = 3.0 V  
; ICC = 5.6 mA TYP. @VCC = 3.0 V  
; PO(1 dB) = −4.0 dBm TYP. @f = 1 GHz  
; PO(1 dB) = +2.5 dBm TYP. @f = 1 GHz  
; PO(1 dB) = −4.5 dBm TYP. @f = 1 GHz  
µPC8152TB  
•
High efficiency  
: µPC8128TB  
µPC8151TB  
µPC8152TB  
•
•
Power gain  
: µPC8128TB, 8151TB ; GP = 12.5 dB TYP. @f = 1 GHz  
µPC8152TB  
: µPC8128TB  
: µPC8151TB  
: µPC8152TB  
; GP = 23 dB TYP. @f = 1 GHz  
; ISL = 39 dB TYP. @f = 1 GHz  
; ISL = 38 dB TYP. @f = 1 GHz  
; ISL = 40 dB TYP. @f = 1 GHz  
Excellent isolation  
•
•
•
Operating frequency  
: 100 to 1 900 MHz (Output port LC matching)  
High-density surface mounting : 6-pin super minimold package (2.0 × 1.25 × 0.9 mm)  
Light weight : 7 mg (Standard value)  
APPLICATION  
•
Buffer Amplifiers on 800 to 1 900 MHz cellular or cordless telephones  
Caution Electro-static sensitive devices  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
Document No. P12549EJ3V0DS00 (3rd edition)  
Date Published February 2001 N CP(K)  
Printed in Japan  
The mark shows major revised points.  
1997, 2001  
©
1234567...52

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UPC8128TB-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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