UPC3232TB

更新时间： 2024-11-01 07:05:31

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器输出元件
页数	文件大小	规格书
15页	152K
描述
5 V, SILICON GERMANIUM MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UPC3232TB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	27 dB	最大输入功率 (CW)：
JESD-609代码：	e0	最大工作频率：	50000 MHz
最小工作频率：		最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

UPC3232TB 数据手册

DATA SHEET

BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT

PC3232TB

5 V, SILICON GERMANIUM MMIC

MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER

DESCRIPTION

The µPC3232TB is a silicon germanium (SiGe) monolithic integrated circuit designed as IF amplifier for DBS tuners.

This IC is manufactured using our 50 GHz f^maxUHS2 (Ultra High Speed Process) SiGe bipolar process.

FEATURES

•

Low current

: ICC = 26.0 mA TYP.

Medium output power

: P^{O (sat)}= +15.5 dBm TYP. @ f = 1.0 GHz

: P^{O (sat)}= +12.0 dBm TYP. @ f = 2.2 GHz

: P^{O (1 dB)}= +11.0 dBm TYP. @ f = 1.0 GHz

: P^{O (1 dB)}= +8.5 dBm TYP. @ f = 2.2 GHz

: G^P= 32.8 dB MIN. @ f = 1.0 GHz

: G^P= 33.5 dB MIN. @ f = 2.2 GHz

•

High linearity

Power gain

•

Gain flatness

Noise figure

: ∆G = 1.0 dB TYP. @ f = 1.0 to 2.2 GHz

: NF = 4 dB TYP. @ f = 1.0 GHz

: NF = 4.1 dB TYP. @ f = 2.2 GHz

: V^CC= 4.5 to 5.5 V

•

Supply voltage

Port impedance

: input/output 50 Ω

APPLICATIONS

•

IF amplifiers in LNB for DBS converters etc.

ORDERING INFORMATION

Part Number

Order Number

Package

Marking

C3S

Supplying Form

• Embossed tape 8 mm wide

µPC3232TB-E3

µPC3232TB-E3-A 6-pin super minimold

(Pb-Free)

• Pin 1, 2, 3 face the perforation side of the tape

• Qty 3 kpcs/reel

Remark To order evaluation samples, please contact your nearby sales office

Part number for sample order: µPC3232TB

Caution Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. PU10597EJ01V0DS (1st edition)

Date Published May 2006 NS CP(K)

Printed in Japan

2005, 2006

12 3 4 5 6 7...15

中文翻译

下载PDF

与UPC3232TB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPC3232TB-E3	CEL	获取价格	5 V, SILICON GERMANIUM MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER
UPC3232TB-E3	NEC	获取价格	5 V, SILICON GERMANIUM MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER
UPC3232TB-E3-A	NEC	获取价格	5 V, SILICON GERMANIUM MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER
UPC3232TB-E3-A	CEL	获取价格	5 V, SILICON GERMANIUM MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER
UPC3234GV-E1-A	NEC	获取价格	Narrow Band Low Power Amplifier, 30MHz Min, 100MHz Max, LEAD FREE, PLASTIC, SSOP-8
UPC3236TK	NEC	获取价格	5 V, SILICON GERMANIUM MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER
UPC3236TK-E2	NEC	获取价格	5 V, SILICON GERMANIUM MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER
UPC3236TK-E2-A	NEC	获取价格	5 V, SILICON GERMANIUM MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER
UPC3237TK	CEL	获取价格	BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT
UPC3237TK-E2	CEL	获取价格	BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT

与UPC3232TB相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

22
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

23
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

46
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPC3232TB

UPC3232TB 技术参数

UPC3232TB 数据手册

与UPC3232TB相关器件

与UPC3232TB相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPC3232TB

UPC3232TB 技术参数

UPC3232TB 数据手册

与UPC3232TB相关器件

与UPC3232TB相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？