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Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波放大器> UPC2762T
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UPC2762T

更新时间： 2024-01-10 15:36:43
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 射频和微波射频放大器微波放大器
页数 文件大小 规格书
6页 144K
描述
3 V, WIDEBAND MEDIUM POWER SI MMIC AMPLIFIER

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UPC2762T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.27
其他特性：HIGH RELIABILITY特性阻抗：50 Ω
构造：COMPONENT增益：11.5 dB
最大输入功率 (CW)：10 dBmJESD-609代码：e0
最大工作频率：2900 MHz最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C射频/微波设备类型：WIDE BAND LOW POWER
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)

UPC2762T 数据手册

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UPC2762T  
UPC2763T  
3 V, WIDEBAND  
MEDIUM POWER SI MMIC AMPLIFIER  
GAIN vs. FREQUENCY  
VCC = 3.0 V, ICC = 27 mA  
FEATURES  
24  
22  
• 7 dBm P1dB TYPICAL AT 1.9 GHz  
• LOW VOLTAGE: 3 Volts  
UPC2763T  
• WIDE BANDWIDTH: 2.9 GHz at -3 dB (UPC2762T)  
• HIGH GAIN: 20 dB at 1.9 GHz (UPC2763T)  
• SUPER SMALL PACKAGE  
20  
18  
16  
14  
12  
• TAPE AND REEL PACKAGING OPTION AVAILABLE  
UPC2762T  
DESCRIPTION  
10  
8
The UPC2762T and UPC2763T are Silicon Monolithic inte-  
grated circuits which are manufactured using the NESAT III  
process. The NESAT III process produces transistors with fT  
approaching 20 GHz. These amplifiers were designed for 900  
MHz and 1.9 GHz receivers in cellular, cordless telephone  
and PCN applications. Operating on a 3 volt supply these ICs  
are ideally suited for hand-held, portable designs.  
3000  
100  
300  
1000  
Frequency, f (MHz)  
NEC's stringent quality assurance and test procedures en-  
sure the highest reliability and performance.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C, ZL = ZS = 50Ω, VCC = 3.0 V)  
PART NUMBER  
PACKAGE OUTLINE  
UPC2762T  
UPC2763T  
T06  
T06  
TYP  
27  
SYMBOLS  
PARAMETERS AND CONDITIONS  
Circuit Current (no signal)  
Small Signal Gain,  
UNITS  
MIN  
MAX  
MIN  
TYP  
MAX  
ICC  
GS  
mA  
35  
27  
35  
f = 900 MHz  
dB  
dB  
11  
11.5  
13  
14.5  
16  
17.5  
16  
16.5  
20  
19.5  
23  
f = 1900 MHz  
22.5  
1
fU  
Upper Limit Operating Frequency  
(The gain at fu is 3 dB down from the gain at 0.1 GHz)  
GHz  
2.7  
2.9  
2.0  
2.4  
P1dB  
PSAT  
Output Power at 1 dB Compression Point, f = 900 MHz  
f = 1900 MHz  
dBm  
dBm  
+5.5  
+4.5  
+8  
+7  
+7  
+4  
+9.5  
+6.5  
Saturated Output Power,f = 900 MHz  
f = 1900 MHz  
dBm  
dBm  
9
8.5  
11  
8
NF  
Noise Figure,  
f = 900 MHz  
f = 1900 MHz  
dB  
dB  
6.5  
7
8
8.5  
5.5  
5.5  
7.0  
7.0  
RLIN  
Input Return Loss,  
Output Return Loss,  
Isolation,  
f = 900 MHz  
f = 1900 MHz  
dB  
dB  
6
5.5  
9
8.5  
8
9
11  
12  
RLOUT  
ISOL  
OIP3  
RTH (J-A)  
f = 900 MHz  
f = 1900 MHz  
dB  
dB  
8
9
11  
12  
5
6
8
9
f = 900 MHz  
f = 1900 MHz  
dB  
dB  
22  
20  
27  
25  
25  
24  
30  
29  
SSB Output Third Order Intercept Point f = 900, 902 MHz  
f = 1900, 1902 MHz  
dBm  
dBm  
+12  
+9  
+17  
+11  
Thermal Resistance (Junction to Ambient)  
Free Air  
Mounted on a 50 x 50 x 1.6 mm epoxy glass PWB  
°C/W  
°C/W  
620  
230  
620  
230  
Note:  
1.The gain at fU is 3 dB down from the gain at 100 MHz.  
California Eastern Laboratories  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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