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UPC1652G

更新时间： 2024-01-17 09:14:15
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 射频和微波射频放大器微波放大器
页数 文件大小 规格书
8页 42K
描述
SILICON MONOLITHIC BIPOLAR INTEGRATED CIRCUIT WIDE BAND AMPLIFIER

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UPC1652G 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SOP8,.25Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92Is Samacsys：N
JESD-609代码：e0安装特点：SURFACE MOUNT
端子数量：8最高工作温度：70 °C
最低工作温度：-20 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：SOP8,.25电源：5 V
射频/微波设备类型：WIDE BAND LOW POWER子类别：RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：25 mA表面贴装：YES
技术：BIPOLAR端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

UPC1652G 数据手册

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DATASHEET
BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT  
µPC1652G  
SILICON MONOLITHIC BIPOLAR INTEGRATED CIRCUIT  
WIDE BAND AMPLIFIER  
DESCRIPTION  
PIN CONNECTIONS  
The µPC1652G is  
a
silicon monolithic integrated circuit  
especially designed as a wide band amplifier convering HF band  
through UHF band.  
INPUT  
GND  
GND  
GND  
1
2
3
4
8
7
6
5
GND  
V
V
CC  
CC  
FEATURES  
•
•
•
•
Excellent frequency response : 1 200 MHz TYP. @ 3 dB down  
High power gain : 18 dB TYP. @ f = 500 MHz  
Low voltage operation : VCC = 5 V  
OUTPUT  
SOP package  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = +25 °C)  
Supply Voltage  
VCC  
PD  
7
V
mW  
°C  
Total Power dissipation  
Operating Ambient Temperature  
Storage Temperature  
440  
TA  
−20 to +75  
−40 to +125  
Tstg  
°C  
EQUIVALENT CIRCUIT  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25 °C, VCC = 5 V)  
CHARACTERISTIC  
Circuit Current  
Power Gain  
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT TEST CONDITIONS  
V
CC  
ICC  
GP  
15  
16  
20  
18  
25  
20  
mA No signals  
dB f = 500 MHz  
dB f = 500 MHz  
MHz 3 dB down below flat gain  
dB f = 500 MHz  
dB f = 500 MHz  
dB f = 500 MHz  
dBm f = 500 MHz  
Noise Figure  
NF  
BW  
ISO  
5.5 6.5  
1000 1200  
OUT  
Band Width  
Isolation  
23  
17  
12  
3
26  
20  
15  
5
IN  
Input Return Loss  
Output Return Loss  
Maximum Output Level  
S11  
S22  
PO  
GND  
NEC cannot assume any responsibility for any circuits shown or represent that  
they are free from patent infringement  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
Document No. P12443EJ5V0DS00 (5th edition)  
Date Published November 1999 N CP(K)  
Printed in Japan  
The mark  
shows major revised points.  
1983, 1999  
©
12345678

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