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UPA2790GR-A

更新时间： 2024-11-01 15:56:03

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瑞萨 - RENESAS		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	198K
描述
6 A, 30 V, 0.04 ohm, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWER, SO-8

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UPA2790GR-A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Lifetime Buy	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.21	雪崩能效等级（Eas）：	3.6 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A	最大漏极电流 (ID)：	6 A
最大漏源导通电阻：	0.04 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UPA2790GR-A 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

µPA2790GR

SWITCHING

N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

The µ PA2790GR is N- and P-channel MOS Field Effect

: Source 1

: Gate 1

N-channel

Transistors designed for Motor Drive application.

7, 8: Drain 1

P-channel

ꢀ

: Source 2

: Gate 2

FEATURES

• Low on-state resistance

5, 6: Drain 2

N-channel R^DS(on)1= 28 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 3 A)

R^DS(on)2= 40 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 3 A)

P-channel R^DS(on)1= 60 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −3 A)

R^DS(on)2= 80 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −3 A)

• Low input capacitance

6.0 0.ꢀ

4.0

5.ꢀ7 Max.

1.0

0.5 0.2

0.10

0.6

1.27

+0.11

–0.05

0.12 M

0.40

N-channel C^iss= 500 pF TYP.

P-channel C^iss= 460 pF TYP.

EQUIVALENT CIRCUITS

• Built-in gate protection diode

• Small and surface mount package (Power SOP8)

N-channel

P-channel

Drain

ORDERING INFORMATION

Body

Diode

Gate

PART NUMBER

PACKAGE

µ PA2790GR

Power SOP8

Protection

Diode

Protection

Diode

Source

Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.

When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding

the rated voltage may be applied to this device.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. G16954EJ2V0DS00 (2nd edition)

The mark

shows major revised points.

Date Published August 2004 NS CP(K)

Printed in Japan

2004

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA2790GR-E1	RENESAS	获取价格	UPA2790GR-E1
UPA2790GR-E2	RENESAS	获取价格	UPA2790GR-E2
UPA2791GR	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET
UPA2791GR-E1-AT	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET
UPA2791GR-E2-AT	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET
UPA2792GR-E1-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.021ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel
UPA2792GR-E2-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.021ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel
UPA2793AGR-E2-AT	RENESAS	获取价格	7A, 40V, 0.023ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, POWER, SOP-8
UPA2793GR-E1-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 40V, 0.023ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
UPA2793GR-E2-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 40V, 0.023ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,

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