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UPA1931TE-T1-AT

更新时间： 2024-01-16 06:54:51

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瑞萨 - RENESAS		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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UPA1931TE-T1-AT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	SC-95
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A
最大漏极电流 (ID)：	4.5 A	最大漏源导通电阻：	0.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UPA1931TE-T1-AT 数据手册

Preliminary Data Sheet

PA1931

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

R07DS0009EJ0103

Rev.1.03

May 09, 2012

Description

The PA1931 is a switching device, which can be driven directly by a 4.5 V power source.

The PA1931 features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications

such as power switch of portable machine and so on.

Features



4.5 V drive available

Low on-state resistance

 R_DS(on)1= 65 m MAX. (V_GS= −10 V, I_D= −1.8 A)

 R_DS(on)2= 100 m MAX. (V_GS= −4.5 V, I_D= −1.8 A)

Ordering Information

Part No.

Lead Plating

Pure Sn (Tin)

Packing

Package

PA1931TE-T1-AT ^*

Tape 3000 p/reel

SC-95 (Mini Mold Thin Type)

typ. 0.011 g

PA1931TE-T2-AT ^*

Note: *1 This product does not contain Pb.

"-T1" and "-T2" in Part No. indicate the unit orientation.

Marking: UB

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25°C)

Item

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D(DC)

I_D(pulse)

P_T1

Ratings

−40

Unit

Drain to Source Voltage (V_GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V_DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T_A= 25°C)

4.5



Drain Current (pulse) ^*



Total Power Dissipation

Total Power Dissipation ^*

0.2

°C

P_T2

2.0

Channel Temperature

Storage Temperature

Single Avalanche Current ^*

T_ch

150

T_stg

−55 to +150

I_AS

3.5

1.2

Single Avalanche Energy ^*

E_AS

Notes: *1 P_W 10 s, Duty Cycle  1%

*2 Mounted on FR-4 board of 50 mm  50 mm  1.6 mmt, t  5 sec

*3 T_ch(peak) 150°C, R_G= 25 

R07DS0009EJ0103 Rev.1.03

May 09, 2012

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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UPA1950TE	NEC	获取价格	P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA1950TE-A	RENESAS	获取价格	2.5A, 12V, 0.205ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SC-95, 6 PIN
UPA1951	NEC	获取价格	P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA1951TE	NEC	获取价格	P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
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