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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.21 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.017 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPA1721G-E1 | RENESAS |
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UPA1721G-E1 |
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| UPA1721G-E2 | RENESAS |
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UPA1721G-E2 |
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| UPA1721G-E2-A | RENESAS |
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UPA1721G-E2-A |
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| UPA1722 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| UPA1722G | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| UPA1722G-A | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| UPA1722G-E1 | RENESAS |
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UPA1722G-E1 |
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| UPA1722G-E2 | RENESAS |
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UPA1722G-E2 |
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| UPA1722G-E2-AT | RENESAS |
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UPA1722G-E2-AT |
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| UPA1723 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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