UN911F

更新时间： 2024-11-25 22:17:23

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
14页	190K
描述
Silicon PNP epitaxial planer transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UN911F 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 2.128	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.125 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

UN911F 数据手册

Transistors with built-in Resistor

UN9111/9112/9113/9114/9115/9116/9117/9118/9119/9110/

911D/911E/911F/911H/911L/UNR911AJ/911BJ/911CJ

Silicon PNP epitaxial planer transistor

Unit: mm

For digital circuits

1.6±0.15

0.8±0.1

0.4

Features

■

●

Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts.

●

SS-Mini type package, allowing automatic insertion through tape

packing and magazine packing.

Resistance by Part Number

■

Marking Symbol (R₁)

(R₂)

10kΩ

22kΩ

47kΩ

—

0.2±0.1

●

UN9111

UN9112

UN9113

UN9114

UN9115

UN9116

UN9117

UN9118

UN9119

UN9110

UN911D

UN911E

UN911F

UN911H

UN911L

UNR911AJ

UNR911BJ

UNR911CJ

10kΩ

22kΩ

47kΩ

10kΩ

4.7kΩ

22kΩ

0.51kΩ

1kΩ

47kΩ

4.7kΩ

2.2kΩ

4.7kΩ

100kΩ

—

1 : Base

2 : Emitter

3 : Collector

SS–Mini Type Pakage

—

Unit: mm

1.60±0.05

0.80 0.80±0.05

0.425 0.425

5.1kΩ

10kΩ

—

10kΩ

22kΩ

10kΩ

4.7kΩ

100kΩ

—

0.85^+–0.05³

47kΩ

1 : Base

2 : Emitter

3 : Collector

SS–Mini Flat Type Pakage (J type)

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Ratings

–50

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Collector current

–50

–100

˚C

Internal Connection

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_T

125

T_j

125

T_stg

–55 to +125

˚C

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

UN911F 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
RN2116	TOSHIBA	功能相似	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
DDTA143XE-7-F	DIODES	功能相似	PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-523 SURFACE MOUNT TRANSISTOR
DTA143XE	ROHM	功能相似	Digital transistors (built-in resistors)

与UN911F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UN911FJ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
UN911FTX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
UN911H	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer transistor
UN911HTX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
UN911L	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer transistor
UN911LJ	PANASONIC	获取价格	暂无描述
UN911LTX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
UN911TJ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
UN9210	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer transistor
UN9210J	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar type

与UN911F相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

44
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

33
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

61
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

58

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UN911F

UN911F 技术参数

UN911F 数据手册

UN911F 替代型号

与UN911F相关器件

与UN911F相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UN911F

UN911F 技术参数

UN911F 数据手册

UN911F 替代型号

与UN911F相关器件

与UN911F相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？