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UN2112T

更新时间: 2024-09-15 19:19:55
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松下 - PANASONIC 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 96K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

UN2112T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.84
其他特性:BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):60JESD-30 代码:R-PDSO-F3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

UN2112T 数据手册

  

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