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UN1221

更新时间： 2024-09-17 22:41:43
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 66K
描述
Silicon NPN epitaxial planer transistor

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UN1221 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.6 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

UN1221 数据手册

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Transistors with built-in Resistor  
UN1221/1222/1223/1224  
Silicon NPN epitaxial planer transistor  
Unit: mm  
6.9±0.1  
2.5±0.1  
1.5  
For digital circuits  
1.5 R0.9  
1.0  
R0.9  
Features  
■
●
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and  
reduction of the number of parts.  
R0.7  
●
M type package allowing easy automatic and manual insertion as  
0.85  
well as stand-alone fixing to the printed circuit board.  
0.55±0.1  
0.45±0.05  
Resistance by Part Number  
■
(R1)  
(R2)  
●
●
●
●
UN1221  
UN1222  
UN1223  
UN1224  
2.2kΩ  
4.7kΩ  
10kΩ  
2.2kΩ  
2.2kΩ  
4.7kΩ  
10kΩ  
10kΩ  
3
2
1
2.5  
2.5  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
M Type Mold Package  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Collector current  
50  
50  
Internal Connection  
V
C
500  
mA  
mW  
˚C  
R1  
B
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PT  
600  
Tj  
150  
R2  
E
Tstg  
–55 to +150  
˚C  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
µA  
VCB = 50V, IE = 0  
1
1
5
2
1
Collector cutoff current  
ICEO  
VCE = 50V, IB = 0  
VEB = 6V, IC = 0  
µA  
UN1221  
Emitter  
UN1222  
IEBO  
mA  
cutoff  
current  
UN1223/1224  
Collector to base voltage  
VCBO  
VCEO  
IC = 10µA, IE = 0  
50  
50  
40  
50  
60  
V
V
Collector to emitter voltage  
IC = 2mA, IB = 0  
Forward  
current  
transfer  
ratio  
UN1221  
UN1222  
hFE  
VCE = 10V, IC = 100mA  
UN1223/1224  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = 100mA, IB = 5mA  
0.25  
0.2  
V
V
Output voltage high level  
Output voltage low level  
Transition frequency  
VOH  
VOL  
fT  
VCC = 5V, VB = 0.5V, RL = 500Ω  
VCC = 5V, VB = 3.5V, RL = 500Ω  
VCB = 10V, IE = –50mA, f = 200MHz  
4.9  
V
200  
2.2  
4.7  
10  
MHz  
UN1221/1224  
Input  
resis-  
tance  
UN1222  
R1  
(–30%)  
0.8  
(+30%)  
1.2  
kΩ  
UN1223  
Resistance ratio  
1.0  
0.22  
R1/R2  
UN1224  
1
1234

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