5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-88A | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 |
| 针数： | 5 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.8 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G5 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 5 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 140 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UMS1TL | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MINIMOL |
|
| UMS1TR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MINIMOL |
|
| UMS2N | ROHM |
获取价格 |
Transistor, |
|
| UMS2NTL | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MINIMOL |
|
| UMS2NTR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SC-88A |
|
| UMS2TL | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MINIMOL |
|
| UMS2TR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MINIMOL |
|
| UMSA04A03T1V1 | AAC |
获取价格 |
UMS Ultra-Low Capacitance MAX Guard® ESD Supp |
|
| UMSA04A03T1V2 | AAC |
获取价格 |
UMS Ultra-Low Capacitance MAX Guard® ESD Supp |
|
| UMSA04A03T2V1 | AAC |
获取价格 |
UMS Ultra-Low Capacitance MAX Guard® ESD Supp |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
