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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.73 |
| 其他特性： | DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 56 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| UMH1TN | ROHM | Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MINIMO |
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| UMH1TR | ROHM | Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, MINIMO |
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| UMH2 | ETC | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SO |
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| UMH20N | YANGJIE | SOT-363 |
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| UMH25N | ROHM | 本产品是内置2个DTC143Z(NPN 100mA 50V)的数字晶体管。输入侧无需外接电 |
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| UMH25NFHA | ROHM | 本产品是内置2个DTC143Z(NPN 100mA 50V)的数字晶体管。输入侧无需外接电 |
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