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UMH1N-TP PDF预览

UMH1N-TP

更新时间： 2025-07-24 06:02:15
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管数字晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 185K
描述
Digital Transistors

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UMH1N-TP 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.94
Is Samacsys：N其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：56
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

UMH1N-TP 数据手册

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M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
UMH1N  
Micro Commercial Components  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
•
•
•
•
Two DTC124E chip in a package  
Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines.  
Transistor elements are independent, eliminating interference.  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Digital Transistors  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
Absolute maximum ratings @ 25?  
Symbol  
VCC  
VIN  
Parameter  
Supply voltage  
Input voltage  
Value  
50  
-10~40  
30  
100  
150  
Unit  
V
V
SOT-363  
IO  
Output current  
mA  
mA  
mW  
?
IC(MAX)  
Pd  
Tj  
Collector Current  
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
G
150  
-55~150  
Tstg  
?
C
B
Electrical Characteristics @ 25?  
Symbol  
VI(off)  
VI(on)  
VO(on)  
II  
Parameter  
Input voltage (VCC=5V, IO=100µA)  
(VO=0.2V, IO=5mA)  
Min  
---  
3.0  
---  
---  
---  
56  
15.4  
0.8  
Typ  
---  
---  
0.1  
---  
---  
---  
22  
1.0  
Max  
0.5  
---  
0.3  
0.36  
0.5  
---  
Unit  
V
V
V
mA  
µA  
A
H
Output voltage (IO/II=10mA/0.5mA)  
Input current (VI=5V)  
M
K
IO(off)  
GI  
R1  
Output current (VCC=50V, VI=0)  
DC current gain (VO=5V, IO=5mA)  
Input resistance  
J
D
L
28.6  
1.2  
KΩ  
R2/R1  
Resistance ratio  
Transition frequency  
(VCE=10V, IE=-5mA, f=100MHz)  
fT  
---  
250  
---  
MHz  
DIMENSIONS  
Equivalent circuit  
INCHES  
MM  
DIM  
A
MIN  
.006  
.045  
.085  
MAX  
.014  
.053  
.096  
MIN  
0.15  
1.15  
2.15  
MAX  
0.35  
1.35  
2.45  
NOTE  
B
C
D
G
H
J
.026  
0.65Nominal  
.047  
.071  
---  
.055  
.087  
.004  
.043  
.018  
.006  
1.20  
1.80  
---  
1.40  
2.20  
0.10  
1.10  
0.46  
0.15  
K
.035  
.010  
.003  
0.90  
0.26  
0.08  
L
M
Marking :H1  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision:  
1
20102/05  
123

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UMH1N-TP 替代型号

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