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UMH1N

更新时间： 2024-01-22 01:41:52

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体晶体管
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1页	281K
描述
General purpose transistors (dual transistors)

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UMH1N 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.73
其他特性：	DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	56	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UMH1N 数据手册

UMH1N

General purpose transistors (dual transistors)

SOT-363

FEATURES

Two DTC124E chip in a package

Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines.

Transistor elements are independent, eliminating interference.

Mounting cost and area be cut in half.

Marking: H1

Equivalent circuit

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

Parameter

Supply voltage

Input voltage

Symbol

V_CC

V_IN

Limits

Unit

-10~40

I_O

Output current

I_C(MAX)

100

150

Power dissipation

℃

150

Junction temperature

Storage temperature

Tstg

-55~150

Electrical characteristics (Ta=25℃)

Parameter

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Conditions

V_I(off)

V_I(on)

V_O(on)

I_I

0.5

V_CC=5V, I_O=100μA

Input voltage

V_O=0.2V, I_O=5mA

Output voltage

Input current

0.1

0.3

0.36

0.5

I_O/I_I=10mA/0.5mA

μA

V_I=5V

Output current

DC current gain

Input resistance

Resistance ratio

Transition frequency

I_O(off)

G_I

V_CC=50V, V_I=0

15.4

0.8

V_O=5V, I_O=5mA

R₁

28.6

1.2

KΩ

R₂/R₁

f_T

250

MHz

V_CE=10V, I_E=5mA, f=100MHz

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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