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UMF7NTR

更新时间： 2024-11-14 20:11:35

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	73K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, UMT6, SC-88, 6 PIN

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UMF7NTR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-88	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3/e2	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN/TIN COPPER
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

UMF7NTR 数据手册

UMF7N / IMF7

Transistors

Power management (dual transistors)

UMF7N / IMF7

2SC5585 and DTC123EE are housed independently in a UMT or SMT package.

!External dimensions (Units : mm)

!Application

Power management circuit

UMF7N

!Features

1) Power switching circuit in a single package.

2) Mounting cost and area can be cut in half.

1.25

2.1

!Structure

0.1Min.

Silicon epitaxial planar transistor

Each lead has same dimensions

ROHM : UMT6

EIAJ : SC-88

!Equivalent circuits

UMF7N

(3)

IMF7

(2) (1)

(4)

(5) (6)

DTr2

Tr1

DTr2

Tr1

1.6

2.8

(4)

(5)

(6)

(3)

(2)

(1)

=2.2kΩ

0.3Min.

Each lead has same dimensions

ROHM : SMT6

EIAJ : SC-74

!Packaging specifications

Type

UMF7N

UMT6

IMF7

SMT6

Package

Marking

Code

T108

3000

Basic ordering unit(pieces)

3000

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UMF8N	ROHM	获取价格	Power management (dual transistors)
UMF8NTR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SC-88,
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