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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> UMB2NFHATN
UMB2NFHATN PDF预览

UMB2NFHATN

更新时间： 2024-10-14 13:15:11
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体数字晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 39K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, PNP,

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UMB2NFHATN 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：SC-88, 6 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：1.74Is Samacsys：N
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：68JESD-30 代码：R-PDSO-G6
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W参考标准：AEC-Q101
子类别：BIP General Purpose Small Signals表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

UMB2NFHATN 数据手册

 浏览型号UMB2NFHATN的Datasheet PDF文件第2页 
EMB2 / UMB2N / IMB2A  
Transistors  
General purpose  
(dual digital transistors)  
EMB2 / UMB2N / IMB2A  
zExternal dimensions (Units : mm)  
zFeatures  
1) Two DTA144E chips in a EMT or UMT or SMT  
package.  
EMB2  
( )  
3
( )  
2
( )  
1
( )  
4
( )  
5
( )  
6
2) Same size as EMT3 or UMT3 or SMT3 package, so  
same mounting machine can be used for both.  
3) Transistor elements are independent, eliminating  
interference.  
1.2  
1.6  
Each lead has same dimensions  
ROHM : EMT6 Abbreviated symbol : B2  
UMB2N  
zStructure  
Epitaxial planar type  
PNP silicon transistor (Built-in resistor type)  
1.25  
2.1  
The following characteristics apply to both DTr1 and  
DTr2.  
0.1Min.  
Each lead has same dimensions  
zEquivalent circuit  
ROHM : UMT6  
EIAJ : SC-88  
Abbreviated symbol : B2  
EMB2 / UMB2N  
IMB2A  
(4) (5) (6)  
(3) (2) (1)  
IMB2A  
R1  
R2  
R1  
R2  
DTr  
1
DTr1  
DTr2  
DTr2  
R
1
=47kΩ  
=47kΩ  
R
1
=47kΩ  
=47kΩ  
R
2
R2  
R
1
R
2
R2  
R
1
(3) (2) (1)  
(4) (5) (6)  
1.6  
2.8  
0.3to0.6  
zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Limits  
Parameter  
Symbol  
Unit  
V
Each lead has same dimensions  
Supply voltage  
V
CC  
−50  
−40  
10  
ROHM : SMT6  
EIAJ : SC-74  
Abbreviated symbol : B2  
Input voltage  
VIN  
V
I
O
−30  
−100  
Output current  
mA  
mW  
I
C (Max.)  
1
2
EMB2, UMB2N  
150 (TOTAL)  
300 (TOTAL)  
150  
Power  
Pd  
dissipation  
IMB2A  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
˚C  
˚C  
Tstg  
−55 +150  
1 120mW per element must not be exceeded.  
2 200mW per element must not be exceeded.  
12

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与UMB2NFHATN相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UMB2NTL ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon,
UMB2NTN ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, UMT6,
UMB2NTR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SC-88,
UMB2S CZSTARSEA

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 		MBS
UMB2TL ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MINIMO
UMB2TN ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MINIMO
UMB2TR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MINIMO
UMB3 ETC

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 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO
UMB3C001 UMC

获取价格

 		Hard disk controller
UMB3N ROHM

获取价格

 		General purpose (dual digital transistors)

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