型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UMB11NTN | ROHM |
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CE结击穿电压Vceo(V):50V;类型:2 PNP - Pre-Biased (Dua |
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UMB11TL | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MINIMO |
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UMB11TN | ROHM |
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暂无描述 |
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UMB11TR | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MINIMO |
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UMB120 | YFW |
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Marking : YFW UMB120; I(AV) : 1; VRRM : 200; IFSM : 30; VFM : 0.9; VFM : 1; IRM @ VRRM : 1 |
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UMB13N | MCC |
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Tape: 3K/Reel,120K/Ctn; |
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UMB13N | YANGJIE |
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SOT-363 |
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UMB14 | YFW |
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Marking : UMB14; I(AV) : 1; VRRM : 40; IFSM : 40; VFM : 0.55; VFM : 1; IRM @ VRRM : 300; T |
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UMB16 | YFW |
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Marking : YFW UMB16; I(AV) : 1; VRRM : 60; IFSM : 40; VFM : 0.7; VFM : 1; IRM @ VRRM : 300 |
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UMB18 | YFW |
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Marking : YFW UMB18; I(AV) : 1; VRRM : 80; IFSM : 30; VFM : 0.85; VFM : 1; IRM @ VRRM : 20 |
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