是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | O-XEMW-N2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.18 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOW DISTORTION, METALLURGICALLY BONDED | 应用: | ATTENUATOR; SWITCHING |
最小击穿电压: | 800 V | 配置: | SINGLE |
最大二极管电容: | 1 pF | 标称二极管电容: | 0.8 pF |
二极管元件材料: | SILICON | 最大二极管正向电阻: | 1 Ω |
二极管电阻测试电流: | 50 mA | 二极管电阻测试频率: | 100 MHz |
二极管类型: | PIN DIODE | JESD-30 代码: | O-XEMW-N2 |
JESD-609代码: | e0 | 少数载流子标称寿命: | 3.5 µs |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | MICROWAVE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散: | 10 W | 认证状态: | Not Qualified |
反向测试电压: | 100 V | 子类别: | PIN Diodes |
表面贴装: | YES | 技术: | POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | END | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UM7508AE3 | MICROSEMI |
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Pin Diode, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
UM7508B | MICROSEMI |
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Pin Diode, 800V V(BR), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
UM7508BE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
UM7508CR | MICROSEMI |
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Pin Diode, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-1 | |
UM7508CRE3 | MICROSEMI |
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Pin Diode, Silicon | |
UM7508D | MICROSEMI |
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暂无描述 | |
UM7508DE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, Silicon | |
UM7508DR | MICROSEMI |
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暂无描述 | |
UM7508DRE3 | MICROSEMI |
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Pin Diode, Silicon | |
UM7508E | MICROSEMI |
获取价格 |
Pin Diode, 800V V(BR), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |