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UM6K1N

更新时间： 2024-11-02 14:54:59

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江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
5页	2964K
描述
SOT-363

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UM6K1N 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

UM6K1N 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETs

UM6K1N Dual N-channel MOSFET

V_(BR)DSSR_DS(on)MAX

I_D

SOT-363

100m

13Ω 2.5V

FEATURE

1) Two 2SK3018 transistors in a package.

2) The MOS FET elements are independent, eliminating mutual interference.

3) Mounting cost and area can be cut in half.

4) Low On-resistance.

5) Low voltage drive (2.5V drive) makes this device ideal for portable equipment.

Equivalent Circuit

MARKING

K1= Device code

Solid dot1 = Pin1 indicator

Solid dot2 = Green molding compound device.

Solid dot3 = Centered product identification point.

1 2

MOSFET MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C unless otherwise noted)

Symbol

V^DS

Parameter

Value

Unit

Drain-Source Voltage

±20

0.1

V^GS

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Power Dissipation

I^D

P^D

0.15

833

R^θJA

T^J

Thermal Resistance from Junction to Ambient

℃ /W

℃

Junction Temperature

Storage Temperature

150

T^stg

-55~+150

℃

www.jscj-elec.com

Rev. - 1.1

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UM6K1N_1	ROHM	获取价格	2.5V Drive Nch+Nch MOS FET
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UM6K1NL-AL6-R	UTC	获取价格	SILICON N-CHANNEL MOSFET
UM6K1NTN	ROHM	获取价格	2.5V Drive NchNch MOS FET
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UM6K31N	UTC	获取价格	SILICON N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR
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UM6K31N	ROHM	获取价格	电界效果晶体管MOSFET。复合两颗Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值