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UM6116M-2L

更新时间: 2024-10-28 08:24:19
品牌 Logo 应用领域
联华电子 - UMC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 501K
描述
2K x 8 CMOS SRAM

UM6116M-2L 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOP, SOP24,.4Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:120 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G24JESD-609代码:e0
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:24
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP24,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.000001 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.05 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

UM6116M-2L 数据手册

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