5秒后页面跳转
UM6116K-V PDF预览

UM6116K-V

更新时间: 2024-10-28 08:24:19
品牌 Logo 应用领域
联华电子 - UMC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 315K
描述
WIDE VOLTAGE 2K x 8 CMOS SRAM

UM6116K-V 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP24,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:1000 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T24
JESD-609代码:e0内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:24字数:2048 words
字数代码:2000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP24,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:3/5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.000001 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.05 mA
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

UM6116K-V 数据手册

 浏览型号UM6116K-V的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UM6116K-V的Datasheet PDF文件第3页浏览型号UM6116K-V的Datasheet PDF文件第4页浏览型号UM6116K-V的Datasheet PDF文件第5页浏览型号UM6116K-V的Datasheet PDF文件第6页浏览型号UM6116K-V的Datasheet PDF文件第7页 

与UM6116K-V相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UM6116M-2 UMC

获取价格

2K x 8 CMOS SRAM
UM6116M-2L UMC

获取价格

2K x 8 CMOS SRAM
UM6116M-2LT UMC

获取价格

2K x 8 CMOS SRAM
UM6116M-2T UMC

获取价格

2K x 8 CMOS SRAM
UM6116M-3 UMC

获取价格

2K x 8 CMOS SRAM
UM6116M-3L UMC

获取价格

2K x 8 CMOS SRAM
UM6116M-3LT UMC

获取价格

2K x 8 CMOS SRAM
UM6116M-3T UMC

获取价格

2K x 8 CMOS SRAM
UM6116M-V UMC

获取价格

WIDE VOLTAGE 2K x 8 CMOS SRAM
UM6116-V UMC

获取价格

WIDE VOLTAGE 2K x 8 CMOS SRAM