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UM2110MELF-B

更新时间: 2024-11-25 19:27:39
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 衰减器开关测试二极管
页数 文件大小 规格书
3页 80K
描述
Pin Diode, 1000V V(BR), Silicon,

UM2110MELF-B 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.73
其他特性:LOW DISTORTION应用:ATTENUATOR; SWITCHING
最小击穿电压:1000 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE最大二极管电容:2.5 pF
二极管元件材料:SILICON最大二极管正向电阻:2 Ω
二极管类型:PIN DIODE频带:MEDIUM FREQUENCY TO HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e0
少数载流子标称寿命:25 µs元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:15 W
认证状态:Not Qualified反向测试电压:1000 V
表面贴装:YES技术:POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子面层:TIN LEAD端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

UM2110MELF-B 数据手册

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