ULBM05

更新时间： 2024-09-26 22:17:31

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ASI		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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ULBM05 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CRDB-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.25
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.4 A
基于收集器的最大容量：	4 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRDB-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ULBM05 数据手册

ULBM0.5

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .205 4L PILL

The ASI ULBM0.5 is Designed for

FEATURES:

· Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

0.4 A

28 V

I_C

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

12 V

DIM

.976 / 24.800

.028 / 0.700

1.00 / 25.400

.031 / 0.800

4.0 V

2.5 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

70 ^OC/W

.138 / 3.500

.106 / 2.700

.039 / 1.000

.004 / 0.100

.200 / 5.100

.139 / 3.400

.047 / 1.200

.006 / 0.150

.208 / 5.300

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10674

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 25 mA

I_C= 10 mA

I_E= 5.0 mA

V_CE= 5.0 V

4.0

BV_CES

BV_EBO

h_FE

I_C= 150 mA

P_OUT= 0.5 W

---

C_ob

P_G

V_CB= 12.5 V

V_CC= 12.5 V

f = 1.0 MHz

f = 470 MHz

4.0

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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