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UG1D-E3/54

更新时间： 2024-02-12 17:24:56
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 68K
描述
DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN, Signal Diode

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UG1D-E3/54 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-41
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：1.3
其他特性：FREE WHEELING DIODE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.95 V
JEDEC-95代码：DO-204ALJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：40 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.015 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

UG1D-E3/54 数据手册

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UG1A, UG1B, UG1C, UG1D  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
Miniature Ultrafast Plastic Rectifier  
FEATURES  
• Glass passivated chip junction  
• Ultrafast reverse recovery time  
• Soft recovery characteristics  
• Low forward voltage drop  
• Low switching losses, high efficiency  
• High forward surge capability  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
DO-204AL (DO-41)  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
TYPICAL APPLICATIONS  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
For use in high frequency rectification and freewheeling  
application in switching mode converters and inverters for  
consumer, computer and telecommunication.  
IF(AV)  
1.0 A  
VRRM  
IFSM  
trr  
50 V, 100 V, 150 V, 200 V  
40 A  
15 ns  
0.95 V  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-204AL (DO-41)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
VF  
TJ max.  
Package  
150 °C  
DO-204AL (DO-41)  
Single die  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
Diode variations  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
VRMS  
UG1A  
50  
UG1B  
100  
70  
UG1C  
150  
UG1D  
200  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
V
V
V
A
35  
105  
140  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current (fig. 1)  
VDC  
50  
100  
150  
200  
IF(AV)  
1.0  
40  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
A
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
°C  
Revision: 15-Aug-13  
Document Number: 88760  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234

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UG1D-E3/73 VISHAY DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN,

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