UFT5-28SL

更新时间： 2024-11-13 22:41:47

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ASI		晶体射频场效应晶体管放大器
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1页	22K
描述
UHF POWER MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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UFT5-28SL 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.27	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.25 A	最大漏极电流 (ID)：	1.25 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRDB-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	17.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UFT5-28SL 数据手册

UFT5-28SL

UHF POWER MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

DESCRIPTION:

The UFT5-28SL is Designed for is

Designed for AM/FM Power Amplifier

Applications up to 500 MHz.

PACKAGE STYLE .280 4L PILL

FEATURES:

· P_OUT= 5.0 W Typical at 400 MHz

· h _D= 55% Typical at 5 W / 400 MHz

· Omnigold™ Metalization System

ØB

ØC

MAXIMUM RATINGS

1.25 A

60 V

I_D

V_DSS

V_DGR

V_GS

P_DISS

T_J

60 V

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

±40 V

.220 / 5.59

.230 / 5.84

1.055 / 26.80

.285 / 7.24

.006 / 0.15

.060 . 1.52

.130 / 3.30

17.5 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

10 ^OC/W

.275 / 6.99

.004 / 0.10

.050 / 1.27

.118 / 3.00

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10664

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

V_(BR)DSS

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_DS= 5 mA

V_DS= 28 V

V_GS= 20 V

V_GS= 10 V

V_DS= 10 V

V_GS= 0 V

V_DS= 0 V

I_D= 250 mA

I_D= 10 mA

I_DSS

I_GSS

0.8

1.0

G_FS

.110

1.0

V_GS(TH)

6.0

8.0

6.5

5.5

C_ISS

C_OSS

C_RSS

V_DS= 0 V

V_GS= 0 V

f = 1.0 MHz

P_OUT= 4 W

P_G

V_DD= 28 V

I_DQ= 50 mA

h_D

f = 400 MHz

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

1/1

Specifications are subject to change without notice.

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UFT5-28SL 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MRF134	MACOM	功能相似	The RF MOSFET Line: Broadband RF Power FET 5.0W, to 400MHz, 28V
SD2900	STMICROELECTRONICS	功能相似	RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs
BLF242	NXP	功能相似	HF/VHF power MOS transistor

与UFT5-28SL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UFT5300-20JP	CDE	获取价格	Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 20V, 75% +Tol, 10% -Tol, 5300u
UFT550-100JP	CDE	获取价格	Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 100V, 75% +Tol, 10% -Tol, 550u
UFT550-40GJ	CDE	获取价格	Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 40V, 75% +Tol, 10% -Tol, 550uF
UFT5700-5GS	CDE	获取价格	Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 5V, 75% +Tol, 10% -Tol, 5700uF
UFT6200-7R5JL	CDE	获取价格	Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 7.5V, 75% +Tol, 10% -Tol, 6200
UFT70	MICROSEMI	获取价格	ULTRA FAST RECOVERY MODULES
UFT70_10	MICROSEMI	获取价格	Ultrafast Recovery Modules
UFT7000-20JS	CDE	获取价格	Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 20V, 75% +Tol, 10% -Tol, 7000u
UFT7005	MCC	获取价格	70 Amp Supre Fast Recovery Rectifier 50 to 600 Volts
UFT7005A	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 35A, 50V V(RRM), Silicon,

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