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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.9 | 其他特性： | RIPPLE CURRENT IS MEASURED AT 10KHZ-1MHZ |
| 电容： | 200 µF | 电容器类型： | ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR |
| 介电材料： | ALUMINUM (WET) | JESD-609代码： | e0 |
| 漏电流： | 0.12 mA | 安装特点： | THROUGH HOLE MOUNT |
| 负容差： | 10% | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 105 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装形状： | TUBULAR PACKAGE | 极性： | POLARIZED |
| 正容差： | 75% | 额定（直流）电压（URdc）： | 200 V |
| 纹波电流： | 1670 mA | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形状： | WIRE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UFT20020A | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2 |
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| UFT20020AE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, MODULE-2 |
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| UFT20020D | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2 |
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| UFT20020E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, MODULE-2 |
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| UFT200-75GJ | CDE |
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Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 75V, 75% +Tol, 10% -Tol, 200uF |
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| UFT2010 | MICROSEMI |
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ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIERS |
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| UFT2010A | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, Silicon, TO-220, |
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| UFT20120 | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRA FAST RECOVERY MODULES |
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| UFT20120A | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, PACKAGE-2 |
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| UFT20120AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, 200V V(RRM), Silicon, MODULE-2 |
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