UFT150-28

更新时间： 2024-02-01 07:55:42

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描述
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

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UFT150-28 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A	最大漏极电流 (ID)：	26 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UFT150-28 数据手册

UFT150-28

RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .400 BAL FLG

The ASI UFT150-28 is a N-Channel

Enhancement-Mode Push Pull

MOSFET, Designed for FM, and TV

Solid State Transmitter Applications up

to 500 MHz.

MAXIMUM RATINGS

26 A

I_D

65 V

V_DSS

P_DISS

T_J

400 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

0.44 ^OC/W

T_STG

θ_JC

1 = DRAIN

2 = DRAIN(2)

3 = GATE(1)

4 = GATE(2)

5 = SOURCE (1&2) -CASE

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

NONE

SYMBOL

V_(BR)DSS

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_D= 50 mA

V_GS= 0 V

V_GS= 20 V

V_DS= 10 V

V_GS= 10 V

V_DS= 10 V

µA

I_DSS

I_GSS

_DS= 28 V

_DS= 0 V

2.5

1.0

6.0

1.5

V_GS(th)

V_DS(on)

g_fs

I_D=100 mA

I_D= 5.0 A

I_D= 2.5 A

1.0

2.0

3.0

mhos

180

200

C_iss

C_oss

C_rss

V_DS= 28 V

V_GS= 0 V

f = 1.0 MHz

G_ps

10:1

---

V_DD= 28 V

I_DQ= 2 X 100 mA

P_OUT= 200 W

f = 225 MHz

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. B

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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