| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.59 | 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A | 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UF830G-TM3-T | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| UF830G-TMS-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET ARRAY FOR SWITCHING |
|
| UF830G-TN3-R | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| UF830G-TQ2-R | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| UF830G-TQ2-T | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| UF830K | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
|
| UF830K-MT | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| UF830K-TA | UTC |
获取价格 |
N-CH |
|
| UF830K-TC | UTC |
获取价格 |
N-CH |
|
| UF830KG-TA3-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
日本芯片代工厂JS Foundry濒临破产 激进扩张致负债161亿日元
LG电子进军HBM制造关键领域 混合键合设备研发瞄准2028年量产
博通10亿美元半导体工厂计划搁浅 西班牙谈判破裂背后暗藏政治变局
英特尔联手台积电2nm工艺 Nova Lake芯片流片完成引爆业界期待
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
