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UF601L-AE3-R

更新时间: 2024-11-09 12:20:43
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友顺 - UTC 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 173K
描述
0.185A, 600V N-CHANNEL DEPLETION-MODE POWER MOSFET

UF601L-AE3-R 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.64Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.185 A最大漏极电流 (ID):0.185 A
最大漏源导通电阻:120 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.5 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

UF601L-AE3-R 数据手册

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
UF601  
Power MOSFET  
0.185A, 600V N-CHANNEL  
DEPLETION-MODE POWER  
MOSFET  
3
„
DESCRIPTION  
1
2
The UTC UF601 is an N-channel power MOSFET using UTC’s  
advanced technology to provide the customers with high switching  
speed.  
SOT-23  
(SC-59)  
„
FEATURES  
* RDS(ON)=700@ VGS=0V,ID=3mA  
* High Switching Speed  
„
SYMBOL  
„ ORDERING INFORMATION  
Ordering Number  
Pin Assignment  
2 3  
Package  
SOT-23  
Packing  
Lead Free  
Halogen Free  
UF601G-AE3-R  
1
UF601L-AE3-R  
S
G
D
Tape Reel  
Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain  
S: Source  
www.unisonic.com.tw  
1 of 3  
Copyright © 2012 Unisonic Technologies Co., Ltd  
QW-R502-699.C  

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