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UF600M

更新时间: 2024-11-05 03:24:07
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德欧泰克 - DIOTEC 整流二极管开关IOT
页数 文件大小 规格书
2页 62K
描述
Ultrafast Switching Si-Rectifiers - Ultraschnelle Si-Gleichrichter

UF600M 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:2.22应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.7 VJESD-30 代码:O-PALF-W2
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:300 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-50 °C最大输出电流:6 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向恢复时间:0.1 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

UF600M 数据手册

 浏览型号UF600M的Datasheet PDF文件第2页 
UF600A ... UF600M  
UF600A ... UF600M  
Ultrafast Switching Si-Rectifiers – Ultraschnelle Si-Gleichrichter  
Version 2006-04-26  
Nominal current  
Nennstrom  
6 A  
Ø 8±0.1  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
50...1000 V  
Plastic case  
Kunststoffgehäuse  
Ø 8 x 7.5 [mm]  
P600 Style  
Type  
Weight approx.  
Gewicht ca.  
1.3 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Ø 1.2±0.05  
Standard packaging taped in ammo pack  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack  
Dimensions - Maße [mm]  
Maximum ratings  
Grenzwerte  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
V
RRM [V]  
V
RSM [V]  
UF600A  
UF600B  
UF600D  
UF600G  
UF600J  
UF600K  
UF600M  
50  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
1000  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TA = 50°C  
f > 15 Hz  
TA = 25°C  
TA = 25°C  
IFAV  
IFRM  
IFSM  
i2t  
6 A 1)  
60 A 1)  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle  
270/300 A  
370 A2s  
Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-50...+175°C  
-50...+175°C  
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1

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