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UF460G-T3P-T

更新时间： 2024-11-18 07:09:11

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描述
21A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UF460G-T3P-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-3P	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.65	雪崩能效等级（Eas）：	1200 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	21 A	最大漏源导通电阻：	0.31 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	84 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UF460G-T3P-T 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UF460

Power MOSFET

21A, 500V N-CHANNEL

POWER MOSFET

DESCRIPTION

The UF460 uses advanced UTC technology to provide

excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with low gate

voltages. This device is suitable for use as a load switch, in PWM

applications, motor controls, inverters, choppers, audio amplifiers

and high energy pulse circuits.

FEATURES

* R_DS(ON)= 310mΩ@V_GS= 10V, I_D=21A

* Ultra low gate charge (max. 190nC )

* Low reverse transfer capacitance ( C_RSS= typical 250pF )

* Fast switching capability

* Avalanche energy specified

* Improved dv/dt capability

SYMBOL

2.Drain

1.Gate

3.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Lead Free

Pin Assignment

Package

Packing

Halogen Free

UF460G-T3P-T

UF460G-T47-T

UF460L-T3P-T

TO-3P

Tube

UF460L-T47-T

TO-247

www.unisonic.com.tw

1 of 7

QW-R502-186.C

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UF460G-T47-T	UTC	获取价格	21A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET
UF460L-T3P-T	UTC	获取价格	21A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET
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UF460-T3P-T	UTC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
UF460-T47-T	UTC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
UF460V	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
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