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UF2820P

更新时间: 2024-09-22 22:41:47
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页数 文件大小 规格书
3页 216K
描述
RF MOSFET Power Transistor, 2OW, 28V 100 - 500 MHz

UF2820P 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.33
外壳连接:SOURCE配置:COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压:65 V最大漏极电流 (ID):2.8 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):4.8 pF
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:S-CDFM-F4
元件数量:2端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:SQUARE
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:53 W最小功率增益 (Gp):10 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

UF2820P 数据手册

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