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UF28150J

更新时间： 2024-09-24 14:55:35

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4页	725K
描述
RF Power MOSFET Transistor 150W, 100MHz-500MHz, 28V

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UF28150J 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.56
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (ID)：	16 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F4
元件数量：	2	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UF28150J 数据手册

UF28150J

RF Power MOSFET Transistor

150 W, 100 - 500 MHz, 28 V

Rev. V1

Features

Package Outline



DMOS structure

Lower capacitance for broadband operation

Common source configuration

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS^{1, 2, 3}

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_DS

Rating

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain-Source Current

Power Dissipation

16*

P_D

389

Junction Temperature

Storage Temperature

Thermal Resistance

T_J

200

°C

T_STG

Θ_JC

-65 to +150

0.45

°C

°C/W

1. Exceeding any one or combination of these limits may cause permanent damage

to this device.

2. M/A-COM does not recommend sustained operation near these maximum limits.

3. At 25°C Tcase, unless noted.

ELECTRICAL SPECIFICATIONS: 25°C

Parameter

Drain-Source Breakdown Voltage

Drain-Source Leakage Current

Gate-Source Leakage Current

Gate Threshold Voltage

Forward Transconductance

Input Capacitance

Test Conditions

Units

BV_DSS

I_DSS

Min.

Max.

—

V_GS= 0.0 V, I_DS= 20.0 mA*

—

2.0

—

V_DS= 28.0 V, V_GS= 0.0V*

4.0

6.0

—

V_GS= 20 V, V_DS= 0.0 V*

I_GSS

V_DS= 10.0 V, I_DS= 400.0 mA*

V_GS(TH)

G_M

V_DS= 10.0 V, I_DS= 4000.0 mA, ∆V_GS= 1.0 V, 80µs pulse*

V_DS= 28.0V, F = 1.0 MHz*

C_ISS

180

120

Output Capacitance

V_DS= 28.0V, F = 1.0 MHz*

C_OSS

C_RSS

G_P

Reverse Capacitance

Power Gain

V_DS= 28.0V, F = 1.0 MHz*

V_DD= 28.0 V, I_DQ= 400.0 mA, P_OUT= 150.0 W, F = 500 MHz

—

Drain Efficiency

η_D

—

Load Mismatch Tolerance

VSWR-T

10:1**

Notes:

* Per side

** At all phase angles

M/A-COM Technology Solutions Inc. (MACOM) and its affiliates reserve the right to make changes to the product(s) or information contained herein without notice.

Visit www.macom.com for additional data sheets and product information.

For further information and support please visit:

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UF28150J 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MRF275G	MACOM	类似代替	The RF MOSFET Line 150W, 500MHz, 28V
MRF176GU	MACOM	类似代替	The RF MOSFET Line 200/150W, 500MHz, 50V
MRF175GU	MACOM	类似代替	The RF MOSFET Line 200/150W, 500MHz, 28V

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UF2815B	MACOM	获取价格	1 RF Power MOSFET Transistor 15W, 100-500 MHz, 28V
UF281OOM	TE	获取价格	RF MOSFET Power Transistor, lOOW, 28V 100 - 500 MHz
UF281OOV	MACOM	获取价格	RF MOSFET Power Transistor, IOOW, 28V 100 - 500 MHz
UF2820P	TE	获取价格	RF MOSFET Power Transistor, 2OW, 28V 100 - 500 MHz
UF2820P	MACOM	获取价格	RF Power MOSFET Transistor 20W, 100-500 MHz, 28V
UF2820R	TE	获取价格	RF MOSFET Power Transistor, 2OW, 28V 100 - 500 MHz
UF282OP	TE	获取价格	RF MOSFET Power Transistor, 2OW, 28V 100 - 500 MHz
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