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UF2810P

更新时间: 2024-09-22 22:40:59
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2页 147K
描述
RF MOSFET Power Transistor, 10W, 28V 100-500MHz

UF2810P 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.37Is Samacsys:N
配置:COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS最小漏源击穿电压:65 V
最大漏极电流 (ID):1.4 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):2.4 pF最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:S-CDFM-F4元件数量:2
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:SQUARE封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:26.9 W
最小功率增益 (Gp):10 dB认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

UF2810P 数据手册

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