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UF28100H

更新时间: 2024-01-11 22:06:07
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3页 190K
描述
RF MOSFET Power Transistor, 100W, 28V 100 - 500 MHz

UF28100H 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
针数:8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.3
配置:COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS最小漏源击穿电压:65 V
最大漏极电流 (ID):12 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):24 pF最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F8元件数量:2
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:250 W
最小功率增益 (Gp):10 dB认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

UF28100H 数据手册

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