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UF28100H

更新时间: 2024-09-23 03:24:11
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页数 文件大小 规格书
3页 190K
描述
RF MOSFET Power Transistor, 100W, 28V 100 - 500 MHz

UF28100H 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.18
Is Samacsys:N外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:65 V
最大漏极电流 (ID):12 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):24 pF最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F4元件数量:1
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:250 W最小功率增益 (Gp):10 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

UF28100H 数据手册

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