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UF2005-T

更新时间： 2024-02-21 05:25:23
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管功效
页数 文件大小 规格书
3页 92K
描述
2.0A ULTRA-FAST RECTIFIER

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UF2005-T 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-15
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.24
Is Samacsys：N应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.7 VJEDEC-95代码：DO-15
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：60 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向恢复时间：0.075 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

UF2005-T 数据手册

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UF2001 - UF2007  
2.0A ULTRA-FAST RECTIFIER  
Features  
·
·
·
·
·
·
Diffused Junction  
Ultra-Fast Switching for High Efficiency  
High Current Capability and Low Forward Voltage Drop  
Surge Overload Rating to 60A Peak  
A
B
A
Low Reverse Leakage Current  
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 4)  
C
D
Mechanical Data  
·
·
Case: Molded Plastic  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification  
Rating 94V-0  
DO-15  
Min  
Dim  
A
Max  
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminals: Finish – Bright Tin. Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
25.40  
5.50  
¾
B
7.62  
0.889  
3.60  
·
·
·
·
Polarity: Cathode Band  
C
0.686  
2.60  
Marking: Type Number  
D
Mounting Position: Any  
All Dimensions in mm  
Weight: 0.4 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
UF  
UF  
UF  
UF  
UF  
UF  
UF  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
2001  
2002  
2003  
2004  
2005  
2006  
2007  
1000  
700  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
50  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
35  
280  
2.0  
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
@ TA = 50°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave Superimposed on Rated Load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
60  
A
Forward Voltage  
@ IF = 2.0A  
VFM  
IRM  
1.0  
1.3  
1.7  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ TA 25°C  
=
5.0  
100  
mA  
@ TA = 100°C  
trr  
Cj  
Reverse Recovery Time (Note 3)  
50  
50  
75  
30  
ns  
pF  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
RqJA  
Tj, TSTG  
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
50  
K/W  
°C  
-65 to +150  
Notes: 1. Valid provided that leads are maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
3. Measured at I = 0.5A, I = 1.0A, I = 0.25A. See figure 5.  
F
R
rr  
4. RoHS revision 13.2.2003. Glass and High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex Notes 5 and 7.  
DS25007 Rev. 3 - 2  
1 of 3  
UF2001 - UF2007  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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