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UF1A

更新时间： 2024-01-14 12:04:00
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SSE 开关
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1页 20K
描述
SURFACE MOUNT ULTRA FAST SWITCHING RECTIFIER

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UF1A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-C2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.71配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-50 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：1000 V最大反向恢复时间：0.1 µs
表面贴装：YES端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10

UF1A 数据手册

  
SHANGHAI SUNRISE ELECTRONICS CO., LTD.  
UF1A THRU UF1M  
SURFACE MOUNT ULTRA  
TECHNICAL  
SPECIFICATION  
FAST SWITCHING RECTIFIER  
VOLTAGE: 50 TO 1000V CURRENT: 1.0A  
FEATURES  
• Ideal for surface mount pick and  
DSMA/DO-214AC  
B
place application  
• Low profile package  
A
C
D
• Built-in strain relief  
I
• High surge capability  
• Open junction chip,silastic passivated  
• Ultra fast recovery for high efficiency  
• High temperature soldering guaranteed:  
260oC/10sec/at terminal  
F
G
H
MECHANICAL DATA  
• Terminal: Plated leads solderable per  
A
B
C
D
.110(2.79)  
.100(2.54)  
E
.177(4.50)  
.157(3.99)  
F
.075(1.90) .012(0.305)  
.052(1.32) .006(0.152)  
MAX.  
MIN.  
MIL-STD 202E, method 208C  
G
H
I
• Case: Molded with UL-94 Class V-O  
recognized flame retardant epoxy  
• Polarity: Color band denotes cathode  
.208(5.28) .090(2.29) .008(0.203) .060(1.52) .035(0.88)  
.194(4.93) .078(1.98) .004(0.102) .030(0.76) .027(0.68)  
MAX.  
MIN.  
Dimensions in inches and (illimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(Single-phase, half-wave, 60Hz, resistive or inductive load rating at 25oC, unless otherwise stated, for capacitive load,  
derate current by 20%)  
UF UF UF UF UF UF UF  
RATINGS  
SYMBOL  
UNITS  
1A  
50  
1B  
100 200 400 600 800 1000  
70 140 280 420 560 700  
1D 1G  
1J  
1K 1M  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
V
V
V
35  
50  
Maximum DC Blocking Voltage  
100 200 400 600 800 1000  
Maximum Average Forward Rectified Current  
(TL=100oC)  
IF(AV)  
1.0  
A
Peak Forward Surge Current (8.3ms single  
half sine-wave superimposed on rated load)  
Maximum Instantaneous Forward Voltage  
(at rated forward current)  
IFSM  
VF  
30  
A
V
1.0  
1.4  
1.7  
Ta=25oC  
5.0  
200  
Maximum DC Reverse Current  
µA  
µA  
nS  
pF  
oC/W  
oC  
IR  
Ta=100oC  
(at rated DC blocking voltage)  
50  
20  
75  
10  
Maximum Reverse Recovery Time  
Typical Junction Capacitance  
Typical Thermal Resistance  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 3)  
trr  
CJ  
32  
Rθ(ja)  
-50 to +150  
T
STG,TJ  
Storage and Operation Junction Temperature  
Note:  
1.Reverse recovery condition IF=0.5A, IR=1.0A,Irr=0.25A.  
2.Measured at 1.0 MHz and applied voltage of 4.0Vdc  
3.Thermal resistance from junction to terminal mounted on 5×5mm copper pad area  
http://www.sse-diode.com  
1

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