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UF1003

更新时间: 2024-02-11 04:01:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 48K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2

UF1003 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:DO-41
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80Factory Lead Time:10 weeks
风险等级:6.83Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:30 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向恢复时间:0.05 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

UF1003 数据手册

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UF1001–UF1007  
Vishay Lite–On Power Semiconductor  
1.0A Ultra–Fast Rectifier  
Features  
Diffused junction  
Ultra–fast switching for high efficiency  
High current capability and low forward voltage  
drop  
Surge overload rating to 30A peak  
Low reverse leakage current  
Plastic material – UL Recognition flammability  
classification 94V–0  
94 9369  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C  
j
Parameter  
Test Conditions  
Type  
Symbol  
Value  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
30  
Unit  
V
V
V
V
V
V
V
A
Repetitive peak reverse voltage  
=Working peak reverse voltage  
=DC Blocking voltage  
UF1001  
UF1002  
UF1003  
UF1004  
UF1005  
UF1006  
UF1007  
V
RRM  
=V  
RWM  
=V  
R
Peak forward surge current  
I
FSM  
Average forward current  
T =55 C  
A
I
1
A
FAV  
Junction and storage temperature range  
T =T  
–65...+150  
C
j
stg  
Electrical Characteristics  
T = 25 C  
j
Parameter  
Forward voltage  
Test Conditions  
I =1A  
Type  
UF1001–1003  
UF1004  
Symbol Min  
Typ Max Unit  
V
F
V
F
V
F
1
1.3  
1.7  
5
V
V
V
F
UF1005–1007  
Reverse current  
T =25 C  
I
I
A
A
R
T =100 C  
100  
50  
75  
A
ns  
ns  
A
R
Reverse recovery time  
Diode capacitance  
I =1A, I =0.5A,  
UF1001–1004  
UF1005–1007  
UF1001–1004  
UF1005–1007  
t
t
F
R
rr  
I =0.25A  
rr  
rr  
V =4V, f=1MHz  
R
C
C
20  
10  
95  
pF  
pF  
K/W  
D
D
Thermal resistance  
junction to ambient  
R
thJA  
Rev. A2, 24-Jun-98  
1 (4)  

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