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UF1001CT PDF预览

UF1001CT

更新时间： 2024-02-17 18:36:55
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强茂 - PANJIT 二极管快恢复二极管超快恢复二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 44K
描述
ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS

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UF1001CT 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：DO-41
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：7.26
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJEDEC-95代码：DO-41
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：50 V
最大反向恢复时间：0.05 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

UF1001CT 数据手册

 浏览型号UF1001CT的Datasheet PDF文件第2页 
DATA SHEET  
UF1000CT~UF1008CT  
ULTRAFAST RECOVERYRECTIFIERS  
Unit : inch (mm)  
TO-220AB  
10.0 Amperes  
50 to 800 Volts  
CURRENT  
VOLTAGE  
FEATURES  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-O utilizing  
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.  
.419(10.66)  
.387(9.85)  
.196(5.00)  
.163(4.16)  
.139(3.55)  
MIN  
.054(1.39)  
.045(1.15)  
• Exceeds environmental standards of  
MIL-S-19500/228  
• Low power loss, high efficiency.  
• Low forwrd voltge, high current capability  
• High surge capacity.  
• Ultra fast recovery time, high voltage.  
• Both normal and Pb free product are available :  
Normal : 80~95% Sn, 5~20% Pb  
Pb free: 98.5% Sn above  
.038(0.96)  
.019(0.50)  
.025(0.65)MAX  
MECHANCALDATA  
Case: TO-220AB full molded plastic package  
Terminals: Lead solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: As marked.  
.1(2.54)  
.1(2.54)  
AC  
AC  
Positive CT  
Standard packaging: Any  
Weight: 0.08 ounces, 2.24grams.  
MAXIMUMRATINGSANDELECTRICALCHARACTERISTICS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
PA R A M E TE R  
S YM B O L U F1000C T U F1001C T U F1002C T U F1003C T U F1004C T U F1006C T U F1008C T U N ITS  
M axim um R ecurrent P eak R everse Voltage  
V
V
R R M  
R M S  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
300  
210  
300  
10  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
V
V
V
A
A
V
M axim um R M S Voltage  
M axim um D C B locking Voltage  
V
D C  
100  
M axim um A verage Forw ard C urrent at Tc = 100O  
C
IAV  
P eak Forw ard S urge C urrent :8.3m s single half sine-  
w ave superim posed on rated load(JE D E C m ethod)  
IFS M  
125  
M axim um Forw ard Voltage at 5.0A  
V
F
1.0  
1.30  
1.70  
M axim um D C R everse C urrent T  
at R ated D C B locking Voltage  
A
A
=25O  
=125O  
C
10  
500  
IR  
uA  
T
C
TypicalJunction C apacitance (N ote 1)  
C
J
80  
50  
50  
pF  
ns  
M axim um R everse R ecovery Tim e (N ote 2)  
TypicalTherm alR esistance (N ote 3)  
T
R R  
100  
R θJC  
2
O C / W  
O perating Junction and S torage Tem perature R ange  
T
J
,TS TG  
-50 to +150  
O C  
NOTES:  
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.  
2. Reverse Recovery Test Conditions: IF=.5A, IR=1A, Irr=.25A.  
3. Thermal resistance from Junction to case.  
4. Both Bonding and Chip structure are available.  
PAGE . 1  
STAD-MAR.12.2004  
12

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