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UES703E3

更新时间: 2024-01-15 20:50:57
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 功效二极管
页数 文件大小 规格书
6页 230K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 150V V(RRM), Silicon, DO-4,

UES703E3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.57
应用:EFFICIENCY外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.95 V
JEDEC-95代码:DO-4JESD-30 代码:O-MUPM-D1
JESD-609代码:e3最大非重复峰值正向电流:400 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:175 °C
最大输出电流:25 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压:150 V最大反向恢复时间:0.035 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER

UES703E3 数据手册

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