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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.71 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY, HIGH SURGE CAPABILITY |
| 应用： | HIGH VOLTAGE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 20 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 2 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 2.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大反向恢复时间： | 0.05 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UES1106HR2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, |
|
| UES1106HRS | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, |
|
| UES1106HRV | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, |
|
| UES1106HRX | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, |
|
| UES1106SM | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, Silicon, MELF-2 |
|
| UES1106SME3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, Silicon, MELF-2 |
|
| UES1106-TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, GLASS, POWERMITE-2 |
|
| UES1301 | MICROSEMI |
获取价格 |
RECTIFIERS |
|
| UES1301 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 8A 2-Pin GPR-4AM |
|
| UES1301HR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, Silicon, |
|
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