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UES1106-TR

更新时间: 2024-10-01 15:55:55
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美高森美 - MICROSEMI 超快恢复二极管快速恢复二极管
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1页 99K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, GLASS, POWERMITE-2

UES1106-TR 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-GALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.71应用:ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-GALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:20 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最大输出电流:2 A封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大反向恢复时间:50 µs表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

UES1106-TR 数据手册

  

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