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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.72 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY, HIGH SURGE CAPABILITY | 应用： | HIGH VOLTAGE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 20 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 2 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 2.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向恢复时间： | 0.05 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UES1105HRX | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, |
|
| UES1105SM | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 300V V(RRM), Silicon, MELF-2 |
|
| UES1105SME3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, Silicon, MELF-2 |
|
| UES1106 | MICROSEMI |
获取价格 |
RECTIFIERS |
|
| UES1106 | NJSEMI |
获取价格 |
DOIDE ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER 3A 2DIE |
|
| UES1106E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, |
|
| UES1106HR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, |
|
| UES1106HR2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, |
|
| UES1106HRS | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, |
|
| UES1106HRV | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, |
|
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