| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.51 | 应用： | EFFICIENCY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.975 V | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 35 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 2.5 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向电流： | 2 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.025 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UES1103/TR | MICROCHIP |
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工作温度:175°C（最大）;最大工作结温（Tj）:175°C（最大）; |
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| UES1103E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon, |
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| UES1103E3/TR | MICROCHIP |
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工作温度:175°C;最大工作结温（Tj）:175°C;元器件封装:A，轴向; |
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| UES1103HR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon, |
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| UES1103HRS | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| UES1103HRV | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon, |
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| UES1103HRX | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon, |
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| UES1103SM | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon, |
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| UES1103SM/TR | MICROCHIP |
获取价格 |
工作温度:175°C;最大工作结温（Tj）:175°C;元器件封装:A，SQ-MELF; |
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| UES1103SME3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon, |
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