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UD4KB80

更新时间： 2024-02-15 05:46:27
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页数 文件大小 规格书
2页 359K
描述
Bridge Diode

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UD4KB80 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.7
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED
最小击穿电压：800 V外壳连接：ISOLATED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：135 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最大输出电流：1.3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：800 V表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

UD4KB80 数据手册

 浏览型号UD4KB80的Datasheet PDF文件第2页 
シングルインライン型  
Bridge Diode  
Single In-line Package  
OUTLINE  
Package D3K  
■外観図ꢀ  
Unit : mm  
Weight : 1.42（typ.）  
：
UD4KB80  
管理番  
号（例）  
800V 4A  
Control No.  
13.8  
3.1  
品名略号  
Type No.  
特 長  
U4KB 6769  
I
• 薄型 S P パッケージ  
• UL E142422  
高耐圧・高 IFSM  
10.8  
ロット記号（例）  
Date code  
•
＋
～
～
＋
Feature  
I
• Compact-S P  
13.2  
• UL E142422  
①
＋
②
～
③
～
④
－
High Voltage・Large IFSM  
•
①
②
③
④
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下  
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。  
'PSꢀEFUBJMTꢀPGꢀPVUMJOFꢀEJNFOTJPOTꢁꢀSFGFSꢀUPꢀPVSꢀXFCꢀTJUFꢀPSꢀUIFꢀ4FNJDPOEVDUPSꢀ  
4IPSUꢀ'PSNꢀ$BUBMPHꢂꢀꢀ"TꢀGPSꢀUIFꢀNBSLJOHꢁꢀSFGFSꢀUPꢀUIFꢀTQFDJàDBUJPOꢀi.BSLJOHꢁꢀ  
5FSNJOBMꢀ$POOFDUJPOꢂu  
RATINGS  
■定格表ꢀ  
品ꢀ名  
単位  
項ꢀꢀ目  
Item  
記号  
条ꢀ件  
UD4KB80  
Type No.  
Symbol  
Unit  
Conditions  
保存温度  
Tstg  
Tj  
－55～150  
150  
800  
1.3  
℃
℃
V
Storage Temperature  
接合部温度  
Operation Junction Temperature  
せん頭逆電圧  
VRM  
Maximum Reverse Voltage  
フィンなし  
Ta=30℃  
60Hz 正弦波，抵抗負荷  
60Hz sine wave,  
Without heatsink  
出力電流  
A
IO  
Average Rectified Forward Current  
フィン付き  
Resistance load  
Tc=138℃  
4.0  
With heatsink  
せん頭サージ順電流  
60Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値， Tj=25℃  
IFSM  
A
135  
75  
Peak Surge Forward Current  
60Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj=25℃  
2
電流二乗時間積  
１素子当たりの規格値  
2
3ms≦t＜8.3ms，Tj=25℃，  
I t  
A s  
Current Squared Time  
per diode  
絶縁耐圧  
一括端子・ケース間，AC１分間印加  
kV  
2.0  
Vdis  
Dielectric Strength  
Terminals to Case, AC 1 minute  
締め付けトルク  
（推奨値：0.5 N・m）  
0.8  
TOR  
N・m  
Mounting Torque  
（Recommended torque : 0.5 N・m）  
パルス測定，１素子当たりの規格値  
順電圧  
MAX  
IF=2A,  
1.00  
VF  
IR  
V
Pulse measurement, per diode  
Forward Voltage  
パルス測定，１素子当たりの規格値  
逆電流  
MAX  
VR=800V,  
10  
μA  
Pulse measurement, per diode  
Reverse Current  
接合部・ケース間，フィン付き  
MAX  
1.5  
θjc  
θja  
θjl  
Junction to case, With heatsink  
熱抵抗  
接合部・周  
囲間，フィンなし  
MAX  
55  
15  
℃/W  
Thermal Resistance  
Junction to ambient, Without heatsink  
接合部・リード間，フィンなし  
MAX  
Junction to lead, Without heatsink  
J534  
（
）
60  
12

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