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UD4809L-TN3-T

更新时间: 2024-09-24 07:09:11
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友顺 - UTC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
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5页 212K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

UD4809L-TN3-T 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:TO-252包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.12
Is Samacsys:N配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (ID):9 A
最大漏源导通电阻:0.014 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

UD4809L-TN3-T 数据手册

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
UD4809  
Power MOSFET  
N-CHANNEL  
ENHANCEMENT MODE  
„
DESCRIPTION  
This UD4809 N-Channel MOSFET is produced using UTC  
advanced process which has been tailored to make the on-state  
resistance minimum and yet maintain low gate charge for  
superior switching performance especially. The UD4809 is well  
suited for where low in-line power loss is needed in a very small  
outline surface mount package, such as low voltage and battery  
powered applications.  
„
FEATURES  
* Low RDS(ON)  
*Pb-free plating product number: UD4809L  
* Low capacitance  
* Optimized gate charge  
„
SYMBOL  
2.Drain  
1.Gate  
3.Source  
„ ORDERING INFORMATION  
Ordering Number  
Pin Assignment  
Packing  
Package  
Normal  
Lead Free Plating  
1
2
D
D
3
S
S
UD4809-TN3-R  
UD4809-TN3-T  
UD4809L-TN3-R  
UD4809L-TN3-T  
TO-252  
TO-252  
G
G
Tape Reel  
Tube  
www.unisonic.com.tw  
1 of 6  
Copyright © 2008 Unisonic Technologies Co., Ltd  
QW-R502-177.A  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Bridge Rectifier Diode,